Adrian Kotowski | 11 stycznia 2019, 22:48

Samsung przyspieszy masową produkcję chipów w technologii 3 nm GAAFET

Postępy są większe, niż oczekiwano. Samsung ogłosił plany uruchomienia masowej produkcji chipów z wykorzystaniem technologii 3nm GAAFET. Firma wykorzysta oczywiście własną wersję tego rozwiązania, zwaną MBCFET, którą rozwija od 2002 roku. Dodatkowo podmiot poinformował, że nie ma żadnych problemów z wprowadzeniem techniki EUV. Samsung będzie prawdopodobnie pierwszą firmą na świecie, która na masową skalę będzie jej używać jeszcze w tym roku.

W 2018 roku Samsung dwukrotnie aktualizował swój harmonogram dotyczący procesów technologicznych. Już wtedy było widać, że prace nad litografią 3 nm GAAFET idą lepiej, niż przewidywano. O ile w maju mówiło się o wykorzystaniu tej techniki dopiero od 2022 roku, tak we wrześniu Koreańczycy mówili już o testowej produkcji w 2020 roku. Teraz Samsung potwierdził, że masowa produkcja w technologii 3 nm ruszy w 2021 roku, choć najpewniej w drugiej jego połowie.

Równocześnie firma jest niestety bardzo oszczędna w podawaniu informacji, co takiego ma do zaoferowania wspomniana litografia. Nie ma nawet orientacyjnych danych o zaletach stosowania procesu 3 nm GAAFET. Na szczęście firma jest trochę bardziej wylewna w przypadku technologii 7 nm EUV. Samsung zapewnia, że wystartuje z masową produkcją jako pierwszy, choć oczywiście opóźnienie TSMC względem konkurenta będzie raczej niewielkie.

Największa przewagą Samsunga jest za to fakt, że podmiot sam zajął się tworzeniem narzędzi do badania masek EUV, podczas gdy reszta przedsiębiorstw czeka na urządzenia opracowane przez firmy zewnętrzne. Choćby dzięki temu koreański gigant jest w tym wyścigu liderem, a ponadto może w lepszy sposób kontrolować proces produkcji.

Źródło: Tom's Hardware